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集成电路中是如何在硅片上制作电容和电感的

更新时间: 2014-01-05 03:14:26 责任编辑: Author_N1

 

集成电路中是怎么在硅片上制作电容和电感的?
集成电路中是怎么在硅片上制作电容和电感的?
--参考方法--
百度了下,说是电容很容易,实际可以手动焊接的电容都能做的很小了,集成到片子里面应该不难,就电感麻烦点
--参考方法--
电感很难做
电容也很难做大
所以电路设计上面尽量避免集成电感和电容
--参考方法--

硅工艺做电容元件并不困难。因为电容实质上就是由绝缘介质隔离的两片导体。采用电场隔离的如反偏 PN 结电容,采用氧化物介质隔离的如 MOS 电容。但容量很难做大,因为硅片面积太昂贵了。而且,硅工艺目前还无法做出像分立器件那样的叠层结构或卷绕结构。实用的容量也就是在 pF 的数量级。

有实用电感量的电感元件基本上无法用硅工艺实现。目前出现了几种螺线型集成电感,是利用原来用于实现硅片表面导线的金属化工艺,采用多次金属淀积和光刻,形成微型的螺线管(有平面螺线和螺线管之分)。一般容量很小,最大的也在 nH 的数量级,称作微电感。
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